Savez između Japana i Amerike pokušava da pronađe zamjenu za DRAM – dugogodišnji oslonac kompjuterskog hardvera.

Više od 20 kompanija iz Japana i Amerike udružilo je snage kako bi razvile tehnike za masovnu proizvodnju naredne generacije čip tehnologije nazvane magnetoresistive random access memory, ili MRAM.

Među uključenim kompanijama tu su Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi i američki gigant Micron Technology.

Kompanije će poslati svoje istraživače koji će posjetiti Tohoku univerzitet u Japanu, a istraživanje će predvoditi profesor Tetsuo Endoh dok bi razvoj trebalo da bude pokrenut u februaru 2014. godine.

Kada je MRAM u pitnaju, podaci se skladište uz pomoć magnetnih elemenata za skladištenje umjesto sadašnjih električnih naboja.

List Nikkei u svom izvještaju tvrdi da MRAM koristi svega trećinu energije u poređenju sa DRAM memorijom ali posjeduje 10 puta veći kapacitet i 10 puta veću brzinu pisanja, prenosi B92.

Sve ovo MRAM čini idealnim za narednu generaciju smartfona i tableta.

Da li će ove tvrdnje biti manifestovane u komercijalnom proizvodu tek treba da se vidi a početak masovne proizvodnje zakazan je za 2018. godinu.